功率场效应管STV270N4F3STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerSO-10通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:270 ARds On-漏源导通电阻:1。25 OhmsVgs - 栅极-源极电压:20 V最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 C配置:SinglePd-功率耗散:300 W通道模式:Enhancement资格:AEC-Q101商标名:STripFET封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:3。65 mm 长度:7。6 mm 系列:STV270N4F3 晶体管类型:1 N-Channel 类型:Power MOSFETs 宽度:9。5 mm 商标:STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值:200 S 下降时间:45 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:180 ns 工厂包装数量:600 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:110 ns 典型接通延迟时间:25 ns

功率场效应管

功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体）,FET（Field Effect Transistor场效应晶体管）,即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。中文名功率MOS场效应晶体管 外文名Metal Oxide Semiconductor FET 分    类结型和绝缘型 简    称功率 目录1 分类 2 种类 3 结构 4 工作原理 5 基本特性 ▪ 静态特性 ▪ 动态特性 ▪ 开关速度 ▪ 动态性能改进 6 对比 功率MOS场效应晶体管分类编辑 功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。

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